VND5N07TR-E Яңа һәм оригиналь MOSFET Күчергеч / Драйвер 1: 1 N-Channel 3.5A DPAK

Кыска тасвирлау:

Mfr.Part: VND5N07TR-E
Manufactитештерүче: STMicroelectronics
Пакет: DPAK / TO252
Тасвирлау: MOSFET
Мәгълүматлар таблицасы: Зинһар, безнең белән элемтәгә керегез.

Безгә электрон почта җибәрегез

Продукциянең детальләре

Продукция тэглары

Продукция параметры

Тасвирлау

VND5N07-E - монолит җайланма
STMicroelectronics® VIPower® M0 кулланып
стандартны алыштыру өчен эшләнгән технология
Күч MOSFETлар DC-дан 50 КГцга кадәр
кушымталар.Эчке җылылык сүндерү, сызыклы
агымдагы чикләү һәм артык көчәнеш кыскыч саклый
чип кырыс шартларда.
Хаталарны кире кайтару мониторинг ярдәмендә ачыкланырга мөмкин
кертү пинында көчәнеш.

Характеристикалар
Сыйфат	Кыйммәт
Төркем	Интеграль схемалар (IC)
	PMIC - Энергия бүлү ачкычлары, йөкле драйверлар
	STMicroelectronics
	OMNIFET II VIPower
	Магнитофон һәм ролик (TR)
	Кассета (КТ)
	Диги-Рил
Партия статусы	Актив
Күчергеч тибы	Гомуми максат
Нәтиҗә саны	1
Нисбәт - кертү: чыгу	1:01
Чыгыш конфигурациясе	Түбән ягы
Чыгыш төре	N-Channel
Интерфейс	Ябу / сүндерү
Вольт - йөк	55В (Макс)
Вольт - тәэмин итү (Vcc / Vdd)	Таләп ителми
Агым - Чыгыш (Макс)	3.5А
Rds On (Тип)	200mOhm (Макс)
Керү төре	Кире түгел
Үзенчәлекләр	-
Хаталарны саклау	Агымдагы чикләү (тоташтырылган), температура өстендә, көчәнеш өстендә
Эш температурасы	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)
Монтаж төре	Faceир өсте
Тапшыручы җайланма пакеты	DPAK
Пакет / очрак	TO-252-3, DPak (2 лидер + кыстыргыч), SC-63